Современные решения для производства электроники

TFE BV3/4F - установки вакуумного магнетронного напыления

TFE BV3/4F

TFE BV3/4F — установки вакуумного магнетронного напыления тонких пленок с вертикальным расположением подложек и магнетронных источников. Данная конфигурация обеспечивает высокую однородность плёнок в процессе осаждения. Ключевые параметры и опциональные возможности аналогичны серии TFE BH3/4F.

Модель

BV3F

BV4F

Размер магнетронных источников

76 мм х 381 мм; 127 мм х 381 мм;

76 мм х 431 мм; 127 мм х 431 мм

Количество обрабатываемых подложек

за один рабочий цикл

16  шт, диаметром 76 мм;

9 шт, диаметром 102 мм

Размер подложек (макс.)

315 х 315 мм

Количество магнетронных источников

3

4

Мощность  DC источника питания

10  кВт

Мощность   RF источника питания

1 кВт; опционально — 2 кВт

Перемещение подложек в процессе напыления

Сканирующий режим

Размещение подложек

Вертикальное

Нагрев подложек

До 250°С, опционально — до 400°С

Однородность толщины напыляемых пленок

± 3%

Травление подложек

RF источник до 1 кВт/2  кВт;

опционально — плазменный источник

Типы насосов

Криогенный;

опционально — турбомолекулярный

Предельный вакуум

5 х 10−7 мбар

Итальянская компания TFE специализируется на системах магнетронного напыления тонких пленок

все продукты

Дополнительные материалы
keyboard_arrow_leftВсе продукты раздела Магнетронное напыление